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根據新思界產業研究中心發布的《2020-2024年硅基激光器行業深度市場調研及投資策略建議報告 》顯示，2015-2019年，全球工業激光器市場年均復合增長率達到18%，2019年，市場規模達到52億美元，增長勢頭強勁。預計2020-2024年，全球硅光子市場將以40%左右的增速飛速增長，到2024年市場規模將達到28億美元左右。全球工業激光器與硅光子市場均保持強勁增長勢頭，為硅基激光器行業發展帶來廣闊空間。 
 硅基激光器技術主要有三個發展方向，一是通過光柵耦合器將激光器耦合進硅波導中，此技術需要大功率激光器芯片；二是將III-V族的DFB芯片倒裝焊于SOI晶圓上，通過端面耦合進硅波導中，此技術對倒裝焊設備精度要求高；三是將III-V族發光材料鍵合在SOI晶圓上，制作成激光器耦合進硅波導中。在全球硅基激光器市場中，美國處于技術領先地位。
 我國光通信產業發展迅速，為保障國內光通信產業發展，打破核心器件市場被國外企業壟斷的格局，實現硅基激光器自主研發生產勢在必行。在此背景下，我國在硅基激光器研究領域的投入不斷加大。2018年，中山大學光電材料與技術國家重點實驗室與英國倫敦大學合作，研發出國際首例硅基外延生長電抽運室溫連續工作分布反饋式（DFB）激光器陣列芯片，對我國硅基激光器行業發展具有重要意義。
 隨著光通信技術進步，其功能集成度不斷提升，元器件小型化、超薄化、高兼容化成為趨勢。相較于傳統激光器發光材料，硅材料與CMOS兼容性好，并可利用納米技術制造元器件，可以滿足小體積要求，有利于功能集成。同時，硅材料還具有光學損耗低、波導性能優、機械性能好、抗輻射性能佳等優良特性。此外，硅資源全球儲量大，原料來源豐富，成本較低，更加堅信硅基激光器在接下來的發展中優勢很大。硅基激光器是激光器的重要發展方向，同時也是硅光子技術的核心器件，未來具有廣闊發展前景。
 （以上內容參考：新思界網)

  
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